UNIDAD DE ESTADO SOLIDO SSD GIGABYTE NVME M.2 2280 512GB PCIE 3.0X4 NAND FLASH LECT 1700MB/S ESCRIT 1550MB/S

Description

Garantía: 1 ANIO

INTERFAZ
PCI-EXPRESS 3.0 X4, NVME 1.3

FACTOR DE FORMA
M.2 2280

CAPACIDAD TOTAL
512GB

NAND
FLASH NAND

CACHE DDR EXTERNO
N / A

VELOCIDAD DE LECTURA SECUENCIAL
HASTA 1700 MB / S

VELOCIDAD DE ESCRITURA SECUENCIAL
HASTA 1550 MB / S

IOPS DE LECTURA ALEATORIA
HASTA 270K

IOPS DE ESCRITURA ALEATORIA
HASTA 340K

DIMENSION
80 X 22 X 2.3 MM

TIEMPO MEDIO ENTRE FALLOS (MTBF)
1.5 M HORAS

CONSUMO DE ENERGIA (ACTIVO)
PROMEDIO: R: 3.3 W; W: 2.8W

CONSUMO DE ENERGIA (INACTIVO)
1.8MW

TEMPERATURA (EN FUNCIONAMIENTO)
0 ° C HASTA 70 ° C
TEMPERATURA (ALMACENAMIENTO)
-40 ° C HASTA 85 ° C

NOTA
* CONFIGURACION DEL SISTEMA DE PRUEBA: LA CONFIGURACION PUEDE VARIAR SEGUN EL MODELO, ELEGIREMOS LA ULTIMA PLATAFORMA PARA LA VERIFICACION.
* EL RENDIMIENTO PUEDE VARIAR SEGUN LA VERSION DE FIRMWARE DEL SSD Y EL HARDWARE Y LA CONFIGURACION DEL SISTEMA. MEDIDAS DE RENDIMIENTO SECUENCIALES BASADAS EN CRYSTALDISKMARK V.5.1.2 E I0METER 1.1.0.
* VELOCIDADES BASADAS EN PRUEBAS INTERNAS. EL RENDIMIENTO REAL PUEDE VARIAR.
* TBW (TERABYTE WRITTEN): TERABYTES WRITTEN ES LA CANTIDAD TOTAL DE DATOS QUE SE PUEDEN ESCRIBIR EN UN SSD ANTES DE QUE SEA PROBABLE QUE FALLE.
* 1GB = MIL MILLONES DE BYTES. LA CAPACIDAD UTILIZABLE REAL PUEDE VARIAR.